【9/22】AI半導体の電源はパッケージへ 4階層の構造変化

AI半導体の動作電圧は1ボルト以下、消費電力は数キロワット級。村田製作所の役員は、電源の制約が部品の量から経路の距離へ移ったと指摘します。 基板裏面から半導体の真下へ移る垂直給電、パッケージ内のシリコンキャパシタ、TSMCの統合型電圧調整器と裏面給電、NVIDIAの800ボルト直流化まで、4つの階層で進む電源の作り替えを読み解きます。 公式noteで詳細テキストレポート公開中！ https://note.com/kiku_keizai ----- ・AI半導体の電源問題 電圧1ボルト以下と数キロワットの電流 ・寄生インダクタンスと電圧降下 コンデンサの量より経路の距離 ・垂直給電 Empowerの薄型変換器とSarasの基板埋め込み部品 ・パッケージ内のシリコンキャパシタ 半導体から50から100マイクロメートル ・TSMCの統合型電圧調整器とA16の裏面給電 ・NVIDIAの800ボルト直流化 2027年に1メガワット級ラック ・村田製作所 コンデンサ30%増とシリコンキャパシタの位置づけ ----- 一次情報ソース ・EE Times https://www.eetimes.com/when-the-package-becomes-an-electrical-design-variable/ ・Electronic Design https://www.electronicdesign.com/technologies/power/article/55405661/electronic-design-can-embedded-passives-fix-ais-power-delivery-problem ・eeNews Europe https://www.eenewseurope.com/en/tsmc-shows-kw-integrated-voltage-regulator-for-ai/ ・SemiWiki https://semiwiki.com/semiconductor-manufacturers/tsmc/370949-tsmc-a16-backside-power-at-vlsi-2026/ ・NVIDIA https://developer.nvidia.com/blog/nvidia-800-v-hvdc-architecture-will-power-the-next-generation-of-ai-factories/ ・村田製作所 https://www.murata.com/ja-jp/products/capacitor/siliconcapacitors ・日本経済新聞 https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUF164GE0W5A211C2000000/