高温極限環境で動作…SiC回路量産へ前進、京大がウエハー全面にトランジスタを均一作製

「高温極限環境で動作…SiC回路量産へ前進、京大がウエハー全面にトランジスタを均一作製」　京都大学の金子光顕准教授と木本恒暢教授らは、極限環境で動作する集積回路の実用化に向け、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハーの全面にトランジスタを均一に一括作製する技術を開発した。直径約１５センチメートルのＳｉＣウエハー全面にｎ型・ｐ型のＳｉＣ製トランジスタを作製し、正常動作を実証した。フェニテックセミコンダクター（岡山県井原市）との共同研究。