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「プラズマ処理なしでシリコンウエハー貼り合わせ…横浜国大などが開発、新手法の効果」 横浜国立大学の北川颯人大学院生と井上史大教授らはKOKUSAI ELECTRICと共同で、プラズマ処理なしでシリコンウエハーを貼り合わせる手法を開発した。原子層堆積法で作成した酸化アルミニウム薄膜は成膜後2カ月以上は接合性能を持つ。300ミリメートルウエハーでボイドのない接合に成功。接合強度も十分と確認した。半導体製造プロセスの簡素化やコスト低減につながる。
「プラズマ処理なしでシリコンウエハー貼り合わせ…横浜国大などが開発、新手法の効果」 横浜国立大学の北川颯人大学院生と井上史大教授らはKOKUSAI ELECTRICと共同で、プラズマ処理なしでシリコンウエハーを貼り合わせる手法を開発した。原子層堆積法で作成した酸化アルミニウム薄膜は成膜後2カ月以上は接合性能を持つ。300ミリメートルウエハーでボイドのない接合に成功。接合強度も十分と確認した。半導体製造プロセスの簡素化やコスト低減につながる。