パワー半導体絶縁を高性能化…阪大など、銅―窒化アルミ基板実用化に成功

「パワー半導体絶縁を高性能化…阪大など、銅―窒化アルミ基板実用化に成功」　大阪大学接合科学研究所の塚本雅裕教授らはＤＯＷＡパワーデバイス（長野県塩尻市）、島津製作所と共同で、複数の青色半導体レーザーを用いたマルチビーム積層造形法により、窒化アルミニウム基板上に銅被膜を形成した銅―窒化アルミニウム（Ｃｕ―ＡｌＮ）基板の実用化に成功した。